МОРФОЛОГИЯ И СТРУКТУРНО-СОСТАВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛЁНОК NiSi₂/Si, С ФОРМИРОВАННЫХ ТВЁРДОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ

Abstract

ВработеимплантациейионовNi+ вSiсочетаниисотжигомв приповерхностном слое Si на глубине 15-25 nm получены нанокристаллические фазы и слои NiSi2. При D=8∙1016 см-3 формировались нанопленочная гетероструктура типа Si/NiSi2/Si. Впервые оценены ширины запрещенных зон нанокристалических фаз и слоев NiSi2,созданныхвприповерхностнойобластиSi. Методамиоже-электронной спектроскопии, растровой электронной и атомно-силовой микроскопии изучено формирование эпитаксиальных слоев NiSi2при осаждении Ni в Si с последующим отжигом. Показано, что при толщинах h< 150 Å формируются островковые пленки NiSi2. Ширина запрещенной зоны островков и пленок NiSi2практически не отличаются друг от друга и составляла ~ 0,6 эВ, а значения  отличаются на несколько порядков.