| dc.contributor.author | Мустафоева, Н.М | |
| dc.contributor.author | Мустафаева, Н.М | |
| dc.date.accessioned | 2025-10-20T04:42:27Z | |
| dc.date.available | 2025-10-20T04:42:27Z | |
| dc.date.issued | 2025-10 | |
| dc.identifier.issn | 306-4583 | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.kstu.uz/xmlui/handle/123456789/625 | |
| dc.description.abstract | ВработеимплантациейионовNi+ вSiсочетаниисотжигомв приповерхностном слое Si на глубине 15-25 nm получены нанокристаллические фазы и слои NiSi2. При D=8∙1016 см-3 формировались нанопленочная гетероструктура типа Si/NiSi2/Si. Впервые оценены ширины запрещенных зон нанокристалических фаз и слоев NiSi2,созданныхвприповерхностнойобластиSi. Методамиоже-электронной спектроскопии, растровой электронной и атомно-силовой микроскопии изучено формирование эпитаксиальных слоев NiSi2при осаждении Ni в Si с последующим отжигом.
Показано, что при толщинах h< 150 Å формируются островковые пленки NiSi2. Ширина запрещенной зоны островков и пленок NiSi2практически не отличаются друг от друга и составляла ~ 0,6 эВ, а значения отличаются на несколько порядков. | en_US |
| dc.language.iso | other | en_US |
| dc.publisher | INTERNATIONAL JOURNAL OF SCIENCE | en_US |
| dc.subject | нанопленки NiSi2, структура поверхности, Оже-электронной спектроскопии, твердофазного осаждения, морфология. Гетероструктуры типа NiSi2/Si имеют больше перспективы в создание новых приборов функциональной электроники, в частности, в создании СВЧ-транзисторов, детекторов излучения, омических контактов и барьерных структур [1-7]. Большинство силицидных фаз обладают свойствами характерными для металлов | en_US |
| dc.title | МОРФОЛОГИЯ И СТРУКТУРНО-СОСТАВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛЁНОК NiSi₂/Si, С ФОРМИРОВАННЫХ ТВЁРДОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
