ФОРМИРОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНОЙ НАНОСИСТЕМЫ Si/NiSi2/Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ТВЕРДОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ

Abstract

В данной статье представлены результаты формирования многослойной наносистемы Si/NiSi2/Si, полученной методом твердофазного осаждения. Исследование направлено на изучение состава, морфологии и электронной структуры нанослоя кремния на поверхности эпитаксиальной структуры NiSi2/Si(111) при высокой температуре. Показано, что при температуре 1000 K формируется сплошная поликристаллическая пленка кремния, тогда как при повышении температуры до 1150 K происходит ее разрушение и интенсивная диффузия никеля. Также установлено, что при определенных условиях возможно образование эпитаксиальных пленок NiSi2 с хорошими омическими свойствами. Полученные данные имеют практическое значение для создания высокочастотных транзисторов и интегральных схем нового поколения.