ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОПЛЕНКИ SiO2 НА ПОВЕРХНОСТИ Si ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
| dc.contributor.author | Muratova, Baxora | |
| dc.contributor.author | Tashatov, A | |
| dc.contributor.author | Umirzaqov, B | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-20T05:08:24Z | |
| dc.date.available | 2025-11-20T05:08:24Z | |
| dc.date.issued | 2023-06-30 | |
| dc.description.abstract | Имплантация низкоэнергетическими ионами в сочетании с отжигом позволяет получать не только однородные сплошные нанопленки SiO2, но и пленки SiO2 с регулярно расположенными фазами нанокристаллического кремния. Независимо от типа окисления между однородной пленкой SiO2 и Si образуется переходный слой толщиной d, в котором концентрация O уменьшается с увеличением глубины d от ~ 65 70 ат.% до 0 | en_US |
| dc.identifier.issn | 2720-6874 | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.kstu.uz/xmlui/handle/123456789/2485 | |
| dc.language.iso | other | en_US |
| dc.subject | нанофаза | en_US |
| dc.subject | низкоэнергетический | en_US |
| dc.subject | поверхность | en_US |
| dc.subject | осаждение | en_US |
| dc.subject | морфология | en_US |
| dc.title | ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОПЛЕНКИ SiO2 НА ПОВЕРХНОСТИ Si ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ | en_US |
| dc.type | Article | en_US |