Muratova, BaxoraMustafoyeva, Nodira2025-11-202025-11-202023-06-302720-6874https://dspace.kstu.uz/xmlui/handle/123456789/2474В работе имплантацией ионов Ni+ в Si в сочетании с отжигом в приповерхностном слое Si на глубине 1525 nm получены нанокристаллические фазы и слои NiSi2. При D=81016 см3 формировалась нанопленочная гетероструктура типа Si/NiSi2/Si. Впервые оценены ширины запрещенных зон нанокристалических фаз и слоев NiSi2, созданных в приповерхностной области Si. Методами оже-электронной спектроскопии, растровой электронной и атомно-силовой микроскопии изучено формирование эпитаксиальных слоев NiSi2 при осаждении Ni в Si с последующим отжигом. Показано, что при толщинах h<150 Å формируются островковые пленки NiSi2. Ширины запрещенных зон островков и пленок NiSi2 практически не отличаются друг от друга и составляют ~0.6 эВ, а значения  отличаются на несколько порядков.otherповерхностиОже-электронной спектроскопииостровковые ростгетероструктураArticle