Muratova, BaxoraTashatov, AUmirzaqov, B2025-11-202025-11-202023-06-302720-6874https://dspace.kstu.uz/xmlui/handle/123456789/2485Имплантация низкоэнергетическими ионами в сочетании с отжигом позволяет получать не только однородные сплошные нанопленки SiO2, но и пленки SiO2 с регулярно расположенными фазами нанокристаллического кремния. Независимо от типа окисления между однородной пленкой SiO2 и Si образуется переходный слой толщиной d, в котором концентрация O уменьшается с увеличением глубины d от ~ 65  70 ат.% до 0otherнанофазанизкоэнергетическийповерхностьосаждениеморфологияArticle